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Poster Presentation
PP 342

AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 12:00 – 12:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Sakura Tanaka (Nagoya Institute of Technology / JP), Tomoyuki Kawaide (Nagoya Institute of Technology / JP), Akiyoshi Inoue (Nagoya Institute of Technology / JP), Takashi Egawa (Nagoya Institute of Technology / JP), Makoto Miyoshi (Nagoya Institute of Technology / JP)