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Abstract Talk
AT 005

Direct conformal growth of hexagonal boron nitride on the silicon-based substrate by MOCVD for silicon electronics

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 14:15 – 14:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon London

Session

Growth of h-BN

Themen

Growth
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Jiye Kim (POSTECH / KR), Chang-Won Choi (POSTECH / KR), Seokho Moon (POSTECH / KR), Doh Kyung Yeon (POSTECH / KR), Hokyeong Jeong (POSTECH / KR), Jaewon Kim (POSTECH / KR), Dong-Hwan Yang (POSTECH / KR), Inyong Hwang (POSTECH / KR), Jaesub Song (POSTECH / KR), Professor Si-Young Choi (POSTECH / KR), Donghwa Lee (POSTECH / KR), Professor Jong Kyu Kim (POSTECH / KR)