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Poster Presentation
PP 063

Investigations on GaN channel thickness downscaling in high electron mobility transistor structures grown on AlN bulk substrate

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Growth

Session

Growth

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Reda Elwaradi (CRHEA-CNRS / FR)