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Abstract Talk
AT 039

Step pinning and hillock formation in (Al,Ga)N films on native AlN substrates

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 08:30 – 08:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Room Berlin

Session

Structural Characterization, Growth model-1

Themen

Characterization
Optical devices

Mitwirkende

Dr. Tobias Schulz (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung / DE), Prof. Dr. Liverios Lymperakis (Max-Planck Institut für Eisenforschung GmbH / DE), Suhyun Yoo (Max-Planck Institut für Eisenforschung GmbH / DE), Artur Lachowski (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung / DE), Dr. Humberto Foronda (OSRAM Opto Semiconductors GmbH / DE), Dr. Christian Brandl (OSRAM Opto Semiconductors GmbH / DE), Dr. Hans-Jürgen Lugauer (OSRAM Opto Semiconductors GmbH / DE), Professor Marc Hoffmann (OSRAM Opto Semiconductors GmbH / DE), Dr. Martin Albrecht (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung / DE)