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Poster Presentation
PP 039

Channeled ion implantation of Mg into GaN and development of the simulation program

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Professor Tomoaki Nishimura (Hosei University / JP), Professor Tetsu Kachi (Nagoya University / JP)