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Poster Presentation
PP 038

Vertical GaN p-n junction diodes fabricated on heavily Ge-doped GaN substrates

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Dr. Hiroshi Ohta (Hosei University / JP), Naomi Asai (Hosei University / JP), Dr. Fumimasa Horikiri (Hosei University / JP), Yoshinobu Narita (Hosei University / JP), Professor Tomoyoshi Mishima (Hosei University / JP)