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Abstract Talk
AT 159

P-channel and N-channel metal insulator semiconductor field effect transistors on p-GaN/i-GaN/i-AlGaN/i-GaN hetero-structure

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 15:15 – 15:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Surface and interface states

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Yidi Yin (The University of Sheffield / GB), Dr. Kean Boon Lee (The University of Sheffield / GB)