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Abstract Talk
AT 071

Improved yield and performance of Al_0.6Ga_0.4N deep-ultraviolet avalanche photodiodes via ion implantation

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 11:00 – 11:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Vienna

Session

Sensors

Themen

Growth
Optical devices

Mitwirkende

Professor Russell Dupuis (Georgia Institute of Technology / US), Dr. Theeradetch Detchprohm (Georgia Institute of Technology / US)

Improved yield and performance of Al0.6Ga0.4N deep-ultraviolet avalanche photodiodes via ion implantation

Termin

Session

Themen

Mitwirkende

Improved yield and performance of Al_0.6Ga_0.4N deep-ultraviolet avalanche photodiodes via ion implantation