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Abstract Talk
AT 133

Epitaxial growth of III-N/NbN/III-N heterostructures on silicon

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 11:30 – 11:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon London

Session

2D and III-Nitride materials

Themen

Growth
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Antoine Pedeches (CRHEA-CNRS / FR)