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Abstract Talk
AT 197

Effects of vertical leakage on the dynamic buffer response of 650V normally-off GaN high electron mobility transistors

Termin

Datum: 13.10.2022

Zeit: 09:00 – 09:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Vertical devices II

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Dr. Indraneel Sanyal (University of Bristol / GB), Professor Michael J. Uren (University of Bristol / GB), Professor Martin Kuball (University of Bristol / GB)