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Poster Presentation
PP 191

2.29-kV GaN-based double-channel Schottky barrier diodes with high VON uniformity and thermal stability

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 13:15 – 13:15

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Novel Materials and Nanostructures

Session

Novel Materials and Nanostructures

Themen

Electronic devices
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Yu Wen (Xidian University / CN; Xidian University / CN), Professor Weihang Zhang (Xidian University / CN; Xidian University / CN)