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Dr. Zhan Gao

Università degli Studi di Padova / IT

Università degli Studi di Padova

Einsätze

14.10.2022

09:30 – 09:45 12 Min. 3 Min.
Abstract Talk
AT 236
Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 μm InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications
Characterization, Electronic devices