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IWN 2022
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Sangho Lee
Georgia Institution of Technology / US
Georgia Institution of Technology
Sortiert nach Datum
Typ
Einsätze
12.10.2022
11:30
–
11:45
12 Min.
3 Min.
Abstract Talk
AT 136
Quasi-vertical p-i-n diodes achieving high breakdown performance with GaN:Be I-layer and current spreading layer
Electronic devices, Growth
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