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Professor Niklas Rorsman

Weitere Beteiligungen

11.10.2022
Poster Presentation
PP 153
Compositionally graded channel HEMTs for improved linearity in low-noise RF amplifiers
Characterization, Growth
12.10.2022
09:30 – 09:45 12 Min. 3 Min.
Abstract Talk
AT 117
Improve 2DEG confinement in 70 nm AlGaN/GaN HEMTs by reducing the GaN channel thickness in buffer-free heterostructures
Electronic devices