IWN 2022
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Takuma Kobayashi

Osaka University / JP

Osaka University

Datum

Vortrag

  • 10.10.2022
    • Poster Presentation
    • PP 035
    Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination
     Characterization, Electronic devices
  • 12.10.2022
    15:00 – 15:15 12 Min. 3 Min.
    • Abstract Talk
    • AT 158
    Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs
     Characterization, Electronic devices

Weitere Beteiligungen

  • 10.10.2022
    • Poster Presentation
    • PP 035
    Evaluation of hole trap density at SiO2/GaN MOS interfaces through capacitance-voltage measurements under ultraviolet light illumination
     Characterization, Electronic devices
  • 11.10.2022
    • Poster Presentation
    • PP 252
    Fabrication of stable and low leakage SiO2/GaN MOS devices by sputter deposition of SiO2 combined with post annealing processes
     Characterization, Electronic devices
  • 12.10.2022
    15:00 – 15:15 12 Min. 3 Min.
    • Abstract Talk
    • AT 158
    Control of oxidation and reduction reactions at SiO2/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs
     Characterization, Electronic devices
    • v1.25.2
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