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Investigation of self-compensation effects in ultra-highly Si- and Ge-doped n-GaN

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Authors

Frederik Lüßmann (Technische Universität Braunschweig / DE), Christoph Margenfeld (Technische Universität Braunschweig / DE), Irene Manglano Clavero (Technische Universität Braunschweig / DE), Carsten Ronning (Friedrich-Schiller-Universität / DE), Andrey Bakin (Technische Universität Braunschweig / DE), Prof. Dr. Andreas Waag (Technische Universität Braunschweig / DE)

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