Back
  • Abstract Talk
  • AT 008

Combining low trapping effects and high electron confinement in sub-100 nm AlN/GaN HEMTs under high electric field

Dr. Srisaran Venkatachalam
Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN-CNRS) UMR8520 / FR

Appointment

Date:
Time: –
Talk time:
Discussion time:
Location / Stream:
Salon Rome

Session

CMOS, high temperature, data transmission

Topics

  • Electronic devices
  • Novel Materials and Nanostructures

Authors

Dr. Srisaran Venkatachalam (Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)-CNRS UMR8520 / FR), Dr. Kathia Harrouche (Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)-CNRS UMR8520 / FR; University of Lille / FR), Francois Grandpierron (Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)-CNRS UMR8520 / FR; University of Lille / FR), Dr. Stefan Degroote (Soitec Belgium N.V. / BE), Dr. Marianne Germain (Soitec Belgium N.V. / BE), Dr. Joff Derluyn (Soitec Belgium N.V. / BE), Dr. Farid Medjdoub (Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN)-CNRS UMR8520 / FR; University of Lille / FR)

  • © Conventus Congressmanagement & Marketing GmbH