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Abstract Talk
AT 262

TEM Analysis of the Si(111)-AlN-GaN nanowire interface grown by polarity- and site-controlled growth

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 11:15 – 11:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon London

Session

Late News Novel Materials & Nanostructures

Themen

Growth
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Patrick Häuser (University of Duisburg-Essen / DE), Christian Blumberg (University of Duisburg-Essen / DE), Dr. Werner Prost (University of Duisburg-Essen / DE), Mathias Bartsch (University of Duisburg-Essen / DE), Professor Axel Lorke (University of Duisburg-Essen / DE), Professor Nils Weimann (University of Duisburg-Essen / DE)