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Invited Talk
IT 62

Effects of variable channel doping in vertical GaN MOSFETs

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 08:30 – 09:00

Redezeit: 25 Min.

Diskussionszeit: 5 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Modelling and characterization

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Professor Kei May Lau (HKUST / HK), Renqiang Zhu (HKUST / HK), Dr. Huaxing Jiang (HKUST / HK), Chak Wah Tang (HKUST / HK)