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Invited Talk
IT 28

Current leakage mechanism at Schottky contacts locally formed on individual screw and mixed threading dislocations in GaN substrates

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 08:30 – 09:00

Redezeit: 25 Min.

Diskussionszeit: 5 Min.

Ort / Stream:

Room Berlin

Session

Characterization of Electronic Devices-2