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Poster Presentation
PP 040

Investigation of GaN-based double-channel p-heterostructure field-effect transistors with AlGaN buffer layer

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Electronic devices
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Dr. Xuerui Niu (Xidian University / CN), Professor Xiaohua Ma (Xidian University / CN), Bin Hou (Xidian University / CN), Ling Yang (Xidian University / CN), Meng Zhang (Xidian University / CN), Mei Wu (Xidian University / CN), Prof. Dr. Yue Hao (Xidian University / CN)