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IWN 2022
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Dr. Shinya Nunoue
Sortiert nach Typ
Datum
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13.10.2022
11:15
–
11:30
12 Min.
3 Min.
Abstract Talk
AT 213
Fabrication of low on-resistance and normally-off AlGaN/GaN MOS-HFETs with AlGaN back-barrier by selective-area re-growth technique
Electronic devices, Growth
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